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专利摘要显示★✿◈◈,本申请公开了一种相变存储器耐久性测试方法★✿◈◈、存储介质和相变存储器凯发k8国际(中国)★✿◈◈,涉及半导体技术领域★✿◈◈,该方法包括★✿◈◈:在相变存储器中确定目标测试区域★✿◈◈;向目标测试区域进行第一全0数据模式写入操作后★✿◈◈,对目标测试区域执行至少一次目标操作★✿◈◈;目标操作包括★✿◈◈:延迟预设时间后★✿◈◈,向目标测试区域进行第二全0数据模式写入操作★✿◈◈,并获取目标测试区域的错误系数★✿◈◈;当检测到目标测试区域的错误系数不小于预设阈值时★✿◈◈,输出测试数据★✿◈◈。本公开的技术方案★✿◈◈,通过向目标测试区域进行第一全0数据模式写入操作后百利好金业官网★✿◈◈,对目标测试区域执行至少一次目标操作凯发k8国际(中国)★✿◈◈,能够加速对目标测试区域的磨损★✿◈◈,从而大大降低相变存储器耐久性测试的时间成本和测试成本★✿◈◈。
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